本文與您共同分享一下28nm以下先進制程的發(fā)展情況,首先從納米級制程的終極節(jié)點1nm開始。1nm按照IMEC(比利時微電子中心)規(guī)劃的發(fā)展路線圖,預計2028年可實現(xiàn)1nm制程工藝量產(chǎn)。要實現(xiàn)1nm制程工藝,需要改變晶體管架構(gòu),三星和臺積電分別在3nm、2nm節(jié)點放棄了FinFET,轉(zhuǎn)向環(huán)繞柵極(GAAFET)結(jié)構(gòu),也被稱為Nanosheet。
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第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心 ??? 3年前